شبه موصل

إذا كنت تريد الأجهزة التي تستخدم أشباه الموصلات وتاريخها، انظر جهاز شبه موصل. إذا كنت تريد استخدامات أخرى، انظر شبه موصل (توضيح).

أشباه المواصلات، هي مواد تقع قيمة موصليتها الكهربائية بين المواد الموصلة - مثل النحاس، والذهب، وغيرها- وبين المواد العازلة، مثل الزجاج. تنخفض مقاومتها مع ارتفاع درجة الحرارة، المخالف لسلوك الفلزات. كما يمكن لمجال كهربائي خارجي تغيير درجة مقاومة شبه الموصل. فالأجهزة والمعدات التي يدخل في تصنيعها، مواد شبه موصلة هي أساس الألكترونيات الحديثة والتي تشمل الراديو والكمبيوتر والهاتف والتلفزيون وأجهزة أخرى كثيرة. والأجزاء الألكترونية التي تعمل بأشباه الموصلات تشمل الترانستور ووالخلايا الشمسية والصمامات الثنائية والثنائيات باعثة الضوء وموحدات التيار التي تعمل بالسيليكون، والدوائر المتكاملة التشابهية والرقمية.[1]

وكما تمثل ألواح الطاقة الشمسية أكبر مثال لأجهزة التي تعمل بالمواد شبه الموصلة، حيت تقوم بتحويل الطاقة الضوئية إلى طاقة كهربائية.[2]

في الموصلات المعدنية تقوم الألكترونات بنقل التيار الكهربائي، اما في أشباه الموصلات فينتقل التيار الكهربي عن طريق سيل من الإلكترونات تتجه إلى القطب الموجب، مصحوبا بسيل من الفجوات (ذات شحنة موجبة) خلال البناء الذري للمادة تتجه إلى القطب السالب. يساعد على تكون تلك الفجوات الإلكترونية الموجبة تشويب المادة الشبه موصلة مثل الجرمانيوم بمشوب من مادة أخرى.

ويستخدم السيليكون لتصنيع معظم الأجهزة التجارية التي تحتوي على مواد شبه موصلة، كما تستخدم مواد أخرى كثيرة منها الجرمانيوم وزنيخ الجاليوم الثلاثي وكربيد السيليكون. ويعرف شبه الموصل النقي بـشبه موصل "أصيل". ويتم تحسين التوصيلية، القدرة على توصيل الكهرباء، بإضافة عناصر أخرى تسمى "الشوائب" عن طريق صهرها وتركها لتبرد لتكون بلورة جديدة ومختلفة عن الأصلية وتسمى هذه العملية بعملية التشويب (إضافة شوائب إلى مادة نقية).[2]


. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

الخصائص

الموصلية المتغيرة

أشباه الموصلات في حالتها الطبيعية تكون موصلات ضعيفة لأن التيار يتطلب تدفق للإلكترونات، وتتمتع أشباه الموصلات بنطاقات تكافؤ مملوءة، مما يعوق دخول تيار الإلكترونات الجديدة. هناك العديد من التقنيات المتطورة والتي تسمح

Semiconductors in their natural state are poor conductors because a current requires the flow of electrons, and semiconductors have their valence bands filled, preventing the entry flow of new electrons. There are several developed techniques that allow semiconducting materials to behave like conducting materials, such as doping or gating. These modifications have two outcomes: n-type and p-type. These refer to the excess or shortage of electrons, respectively. An unbalanced number of electrons would cause a current to flow through the material.[3]
الوصلات المتغايرة
Heterojunctions occur when two differently doped semiconducting materials are joined together. For example, a configuration could consist of p-doped and n-doped germanium. This results in an exchange of electrons and holes between the differently doped semiconducting materials. The n-doped germanium would have an excess of electrons, and the p-doped germanium would have an excess of holes. The transfer occurs until equilibrium is reached by a process called recombination, which causes the migrating electrons from the n-type to come in contact with the migrating holes from the p-type. A product of this process is charged ions, which result in an electric field.[4][3]
الإلكترونات المثارة
A difference in electric potential on a semiconducting material would cause it to leave thermal equilibrium and create a non-equilibrium situation. This introduces electrons and holes to the system, which interact via a process called ambipolar diffusion. Whenever thermal equilibrium is disturbed in a semiconducting material, the number of holes and electrons changes. Such disruptions can occur as a result of a temperature difference or photons, which can enter the system and create electrons and holes. The process that creates and annihilates electrons and holes are called generation and recombination.[3]
انبعاث الضوء
In certain semiconductors, excited electrons can relax by emitting light instead of producing heat.[5] These semiconductors are used in the construction of light-emitting diodes and fluorescent quantum dots.
تحويل الطاقة الحرارية
Semiconductors have large thermoelectric power factors making them useful in thermoelectric generators, as well as high thermoelectric figures of merit making them useful in thermoelectric coolers.[6]


المواد

بلورات السليكون هي أكثر أشباه الموصلات شيوعاً وتستخدم في الإلكترونيات الدقيقة والألواح الضوئية.

A large number of elements and compounds have semiconducting properties, including:[7]

  • Certain pure elements are found in Group 14 of the periodic table; the most commercially important of these elements are silicon and germanium. Silicon and germanium are used here effectively because they have 4 valence electrons in their outermost shell which gives them the ability to gain or lose electrons equally at the same time.
  • Binary compounds, particularly between elements in Groups 13 and 15, such as gallium arsenide, Groups 12 and 16, groups 14 and 16, and between different group 14 elements, e.g. silicon carbide.
  • Certain ternary compounds, oxides and alloys.
  • Organic semiconductors, made of organic compounds.

Most common semiconducting materials are crystalline solids, but amorphous and liquid semiconductors are also known. These include hydrogenated amorphous silicon and mixtures of arsenic, selenium and tellurium in a variety of proportions. These compounds share with better known semiconductors the properties of intermediate conductivity and a rapid variation of conductivity with temperature, as well as occasional negative resistance. Such disordered materials lack the rigid crystalline structure of conventional semiconductors such as silicon. They are generally used in thin film structures, which do not require material of higher electronic quality, being relatively insensitive to impurities and radiation damage.

تحضير أشباه الموصلات

Almost all of today's electronic technology involves the use of semiconductors, with the most important aspect being the integrated circuit (IC), which are found in laptops, scanners, cell-phones, etc. Semiconductors for ICs are mass-produced. To create an ideal semiconducting material, chemical purity is paramount. Any small imperfection can have a drastic effect on how the semiconducting material behaves due to the scale at which the materials are used.[3]

A high degree of crystalline perfection is also required, since faults in crystal structure (such as dislocations, twins, and stacking faults) interfere with the semiconducting properties of the material. Crystalline faults are a major cause of defective semiconductor devices. The larger the crystal, the more difficult it is to achieve the necessary perfection. Current mass production processes use crystal ingots between 100 and 300 mm (3.9 and 11.8 in) in diameter which are grown as cylinders and sliced into wafers.

There is a combination of processes that is used to prepare semiconducting materials for ICs. One process is called thermal oxidation, which forms silicon dioxide on the surface of the silicon. This is used as a gate insulator and field oxide. Other processes are called photomasks and photolithography. This process is what creates the patterns on the circuity in the integrated circuit. Ultraviolet light is used along with a photoresist layer to create a chemical change that generates the patterns for the circuit.[3]

Etching is the next process that is required. The part of the silicon that was not covered by the photoresist layer from the previous step can now be etched. The main process typically used today is called plasma etching. Plasma etching usually involves an etch gas pumped in a low-pressure chamber to create plasma. A common etch gas is chlorofluorocarbon, or more commonly known Freon. A high radio-frequency voltage between the cathode and anode is what creates the plasma in the chamber. The silicon wafer is located on the cathode, which causes it to be hit by the positively charged ions that are released from the plasma. The end result is silicon that is etched anisotropically.[4][3]

The last process is called diffusion. This is the process that gives the semiconducting material its desired semiconducting properties. It is also known as doping. The process introduces an impure atom to the system, which creates the p-n junction. In order to get the impure atoms embedded in the silicon wafer, the wafer is first put in a 1,100 degree Celsius chamber. The atoms are injected in and eventually diffuse with the silicon. After the process is completed and the silicon has reached room temperature, the doping process is done and the semiconducting material is ready to be used in an integrated circuit.[4][3]


الخصائص الفيزيائية لأشباه الموصلات

نطاق الطاقة والموصلية الكهربائية

ملء الحالات الإلكترونية في أنواع مختلفة من المواد في حالة التوازن. هنا، الارتفاع يمثل الطاقة بينما العرض هو كثافات الحالات المتاحة لطاقة محددة في المواد المدرجة. يتبغ التظليل توزيع فرمي-ديراك (الأسود = جميع الحالات مملوءة، الأبيض = لا توجد حالة مملوءة). في الفلزات وأشباه الفلزات مستوى فرمي EF يقع داخل نطاق واحد على الأقل. في في المواد العازلة وأشباه الموصلات يكون مستوى فرمي داخل فجوة النطاق؛ ومع ذلك، ففي أشباه الموصلات تكون النطاقات في موقع داخل مستوى فرمي يسمح لها بالإحتواء الحراري للإلكترونات أو الثقوب.


نواقل الشحنة (الإلكترونيات والثقوب)

مقال رئيسي: فجوة كهربية

تتواجد إلكترونات التوصيل الكهربي في مستوى طاقة أعلى من الفجوة التي يتركها الإلكترون. الأمر أشبه بكرة تتدحرج على أرض مستوية ومن ثم تتصادف بحفرة في الأرض. فقوانين الطبيعة تحتم على الكرة أن تقع في هذه الحفرة. ولكن ذلك يعني أن هذا الإلكترون الأخير قد ترك في مكانه فجوة أخرى. فيمكن أن نتخيل أن الفجوة الأولى قد تحركت من مكانها في عكس إتجاه حركة الإلكترون الطليق. وبالتالي يمكن أن نعبر عن التيار الكهربي في أشباه الموصلات بطريقتين، أن نتخيل أن الإلكترونات الحرة قد تحركت في إتجاه معين، أو أن الفجوات التي تتركها الإلكترونات قد تحركت في الإتجاه المضاد.

وبالتالي فإن أشباه الموصلات تحتوي على نوعين من نواقل الشحنات: الإلكترونات، والفجوات. ونلاحظ أنه في المواد النقية، فإن عدد إلكترونات التوصيل يساوي تمامًا عدد الفجوات، وهذا شئ منطقي لأن الفجوات ما هي إلا المكان الفارغ التي تتركه تلك الإلكترونات. ونلاحظ أيضًا أن تلك الفجوات هي مناطق موجبة الشحنة بفضل غياب الإلكترونات التي كانت تحتل مكانها وإختلال توازن الشحنات في الذرة.


التشويب

مقال رئيسي: تشويب

التشويب هو نوع من التطعيم وهو إضافة كمية من ذرات مادة معينة إلى بلورة شبه الموصل النقي (تشويب) بنسب تصل إلى (1 : 1.000.000) بهدف زيادة الإلكترونات أو الثغرات الإلكترونية في البلورة.

هناك نوعين من الشوائب، شوائب تزيد من عدد الإلكترونات الحرة وتقلل عدد الفجوات تسمى مادة مانحة [لأنها مادة خماسية التكافؤ تمنح إلكترونًا إضافيًا لمادة السيليكون]، وشوائب أخرى تزيد من عدد الفجوات وتقلل عدد الإلكترونات الحرة تسمى مادة مستقبلة [لأنها مادة ثلاثية التكافؤ تستقبل إلكترونًا حرًا من بللورة السيليكون].[8]

ويتراوح تأثير هذه الشوائب على زيادة قابلية توصيل أشباه الموصلات من 100000 مرة إلى 10000000 مرة في درجة حرارة الغرفة [25 °C]، ولتكن على دراية بأن أشباه الموصلات النقية في درجة حرارة الغرفة العادية لا توصل التيار جيدًا، بل يجب أن ترفع درجة الحرارة إلى 300 درجة مئوية على الأقل حتى تحصل على تيار معقول. ومثل درجة الحرارة هذه كفيلة أن تصهر قطعة من السيليكون مثلًا. وبالتالي لا نجد مهربًا من إضافة شوائب بتركيز منخفض للغاية لزيادة قابلية توصيل المادة.

يمكننا صناعة قطعة سيليكون مضافًا إليها شوائب مادة مانحة، ونسمي تلك المادة N-type، وبالمثل يمكن إضافة شوائب مادة مستقبلة لمادة السيليكون ونسميها في هذه الحالة P-type.

الاستخدامات

وتؤدي النبائط الإلكترونية المصنوعة من المواد شبه الموصلة عدة أغراض منها وظيفة الصمامات المفرَّغة بالإضافة إلى عدة مميزات أخرى. فهي تستخدم قدرة أقل وتعمل لفترة أطول وتكون في حجم أقل. أحد الأمثلة على نبائط أشباه الموصلات الدقيقة رقيقة السليكون المستخدمة في الحواسيب والآلات الحاسبة. وتسمى الرقائق الدقيقة حيث تحتوي على عدة ملايين من الصمامات الثنائية أو الترانزستور في شريحة واحدة.

تُقوِّم نبائط أشباه الموصِّلات، التيار الكهربائي مثل الصمامات (تحويل التيار الكهربائي المتناوب إلى تيار مستمر) وكذلك تضخم الإشارات الكهربائية الضعيفة. تعتمد أجهزة الراديو والتلفاز وغيرها من النبائط الإلكترونية على المقوِّم والمكبرِّ والمذبذب. حيث إن بعض أشباه الموصلات يمكنها توليد ضوء وغيرها تكشف عنه. وأغلب آلات تصوير التلفاز من نبائط أشباه الموصِّلات.

التاريخ المبكر لأشباه الموصلات

يبدأ تاريخ فهم أشباه الموصلات مع عقد تجارب حول الخصائص الكهربائية للمواد. لوحظت خصائص معامل درجة الحرارة السلبية للمقاومة والتصحيح وحساسية الضوء بداية من أوائل القرن التاسع عشر.

كان توماس يوهان سيبك أول من لاحظ أثر يرجع لأشباه الموصلات، عام 1821.[9] عام 1833، أشار مايكل فاراداي إلا إنخفاض مقاومة عينة من كبريتيد الفضة بتسخينها. ويخالف هذا سلوك المواد المعدنية مثل النحاس. عام 1839، كشف ألكسندر إدومون بكير عن رصد الجهد الكهربي بين الكهرلات الصلبة والسائلة عند اضطدامها بالضوء، أثر الألواح الضوئية. عام 1873، أشار ويلوبي سميث إلى أن مقاومات السلنيوم تظهر انخفاضاً في المقاومة عند تعريضها للضوء. عام 1874، قام كارل فرديناند براون برصد التوصيلية والموحدية في الكبريتيدات الفلزية، على الرغم من أن هذا التأثير تم اكتشافه قبل ذلك بكثير من قبل پيتر مونك من روزنشولد (sv) الذي كان يكتب فيAnnalen der Physik und Chemie عام 1835،[10] وتوصل أرثر شوستر إلى أن طبقة أكسيد النحاس الموجودة على الأسلاك تتمتع بخصائص موحدية تتوقف عند تنظيف الأسلاك. قام وليام گريلز آدمز وريتشارد إيڤانز داي برصد الأثر الضوئي في السلنيوم عام 1876.[11]

تطلب التفسير الموحد لهذه الظواهر نظرية فيزياء الحالة الصلبة والتي تم تطويرها بشكل كبير في النصف الأول من القرن 20. عام 1878، عرض إدوين هربرت هال انحراف ناقلات الشحنة المتدفقة بعد تعريضها لمجال مغناطيسي، تأثير هال. اكتشاف الإلكترون بواسطة ج. ج. طومسون عام عام 1897 عزز نظريات التوصيل القائمة على الإلكترون في المواد الصلبة. كارل بايدكر، برصده تأثير هال مع عكس علامته في الفلزات، وضع نظرية مفادها أن ليوديد النحاس ناقلات موجبة الشحنة. قام يوهان كوينيگسرگر عام 1914 بتصنيف المواد الصلبة كفلزات، عازلات، و"موصلات متغيرة" على الرغم من أن تلميذه جوزف ڤايس كان قد طرح بالفعل مصطلح Halbleiter (أشباه الموصلات بالمعنى الحديث) في أطروحته للدكتوراه عام 1910.[12][13] نشر فليكس بلوك نظرية حركة الإلكترونات عبر الشبكات الذرية عام 1928. وفي عام 1930، أعلن ب. گودن أن الموصلية في أشباه الموصلات كانت بسبب التركيزات الطفيفة من الشوائب. بحلول عام 1931، كانت نظرية نطاق الموصلية قد تأسست بالفعل بواسطة ألان هريس ويلسون ومفهوم فجوات الحزم قد تم تطويره. طور ڤالتر هـ. سكوتكي ونڤيل فرانسيس موت نماذج للناقل المحتمل وخصائص ترتباط الفلزات وأشباه الموصلات. بحلول عام 1938، كان بوريس داڤيدوڤ قد طور نظرية موحد أكسيد النحاس، محدداً أثر رابطة پ-ن وأهمية الناقلات الصغرى وحالات السطح.[14]

الاتفاق بين التوقعات النظرية (استناداً إلى تطوير ميكانيكا الكم) والنتائج التجريبية كان ضعيفاً في بعض الأحيان. تم تفسير هذا لاحقاً بواسطة جون باردين نتيجة للسلوك القوي "الحساس هيكلياً" لأشباه الموصلات، التي تتغير خصائصها بشكل كبير تبعاً للكميات القليلة من الشوائب.[14] المواد النقية تجارياً في فترة العشرينيات كانت تحتوي على نسب متفاوتة من الملوثات النزرة أدت إلى نتائج تجريبية مختلفة. حفز هذا تطوير تقنيات تكرير المواد المحسنة، الذي بلغ ذروته في المصافي الحديثة لأشباه الموصلات لإنتاج المواد التي يبلغ نقائها جزء من التريليون.

اعتمد استخدام أشباه الموصلات في البداية على المعرفة التجريبة، قبل أن توفر نظرية أشباه الموصلات دليلاً لإنشاء المزيد من الأجهزة القادرة والموثوقة.

استخدم ألكسندر گراهام بل الخصائص الحساسة للضوء للسلنيوم من أجل نقل الصوت على شعاع الضوء عام 1880. تم إنشاء خلية شمسية عاملة منخفضة الكفاءة بواسطة تشارلز فريتس عام 1883 باستخدام صفيحة معدنية مغطاة بالسلنيوم وطبقة رقيقة من الذهب؛ الجهاز الذي أصبح مفيداً تجارياً في قياس الضوء الفوتوغرافي في الثلاثينيات.[14] تم استخدام محولات للكشف عن موجات صغروية مصنوعة من كبريتيد الرصاص من قبل جاگديش چاندرا بوز عام 1904؛ يستخدم كاشف قطة ويسكر الگالنا أو مواد أخرى أصبحت شائعة في تطور الراديو. ومع ذلك، كان لا يمكن التنبؤ به إلى حد ما في العملية، وكان يتطلب التعديل اليدوي من أجل لوصول لأفضل أداء. عام 1906 قام هـ. ج. لوسڤ برصد انبعاث ضوئي مشابه عام 1922 لكن في ذلك الوقت أصبح التأثير غير مستخدم عملياً. موحدات الطاقة، والتي تستخدم أكسيد النحاس والسلنيوم، تم تطويرها في العشرينيات، وأصبحت ذات أهمية تجارية كبديل لموحدات الصمام المفرغ.[11][14]

في السنوات التي سبقت الحرب العالمية الثانية، أدت أجهزة الكشف والاتصالات بالأشعة دون الحمراء إلى إجراء أبحاث على مادة كبريتيد الرصاص وسيلينيد الرصاص. استخدمت هذه الأجهزة في الكشف عن السفن والطائرات، لعدادات الأشعة تحت الحمراء، وأنظمة الاتصالات الصوتية. أصبح الكاشف البلوري أمراً حيوياً لأنظمة الراديو الصغروية، حيث أن أجهزة الأنابيب المفرغة المتاحة لا يمكنها العمل ككواشف للموجات التي تزيد عن 4000 م.هرتز؛ تعتمد أجهزة الرادار المتقدمة على استجابة الكواشف البلورية الأكثر سرعة. أثناء الحرب عقدت الأبحاث والتطويرات الموسعة لمواد السليكون من أجل تطوير الكواشف ثابتة الجودة.[14]

لا يمكن لمحولات الكواشف والطاقة تضخيم الإشارة. بذلت الكثير من الجهود لتطوير مضخم الحالة الصلبة وكانت ناجحة في تطوير جهز يسمى نبيطة الاتصال النقطي والذي يمكنه تضخيم 20 د.ب وأكثر.[14] عام 1922 قام أولگ لوسڤ بتطوير مضخمات المقاومة السلبية ذات المخرجين للراديو، ولقى حتفه في حصار لنينگراد بعد الانتهاء بنجاح. عام 1923 حصل يوليوس إدگار ليلينفلد على براءة اختراع جهاز يمثل الترانزيستور الحديث، لكنه لم يكن عملياً. قام ر. هيلش ور. و. پول عام 1938 باستعراض مضخم الحالة الصلبة باستخدام هيكل يمثل شبكة التحكم في الأنبوب المفرغ؛ على الرغم من أن هذا الجهاز يظهر توفيراً في الطاقة، إلا أن تردد القطع الخاص به يبلغ دائرة واحدة في الثانية، بطيء للغاية لأي تطبيقات عملية، لكنه تطبيقاً فعالاً للنظرية المتاحة.[14] في معامل بل، بدأ وليام شوكلي وأ. هولدن في فحص مضخمات الحالة الصلبة عام 1938. وتم رصد أول تقاطع پ-ن في السليكون بواسطة روسل أول عام 1941، عندما توصل إلى حساسية إحدى العينات للضوء مع حداً فاصلاً بين شائبة النوع پ عند إحدى النهايات وشائبة النوع ن عند الطرف الآخر. تطور قطع شريحة من العينة عند الحد پ-ن إلى جهد كهربي عند تعريضها للضوء.

في فرنسا، أثناء الحرب، قام هربر ماتاري برصد تضخيم بين نقاط الاتصال المجاورة على قاعدة الجرمانيوم. بعد الحرب، أعلنت مجموعة ماتاري عن مضحم "الترانسيسترون الخاص بهم بعد فترة وجيزة من إعلان معامل لاب عن "الترانزيستور".

انظر أيضاً

المصادر

  1. ^ (2008-01-01) {{{title}}}. ISBN 978-81-219-2450-4. 
  2. ^ أ ب (1963) {{{title}}}. 
  3. ^ أ ب ت ث ج ح خ Neamen, Donald. "Semiconductor Physics and Devices" (PDF). Elizabeth A. Jones. 
  4. ^ أ ب ت خطأ استشهاد: وسم <ref> غير صحيح؛ لا نص تم توفيره للمراجع المسماة Feynman
  5. ^ By Abdul Al-Azzawi. "Light and Optics: Principles and Practices." 2007. March 4, 2016.
  6. ^ "How do thermoelectric coolers (TECs) work?". marlow.com. Retrieved 2016-05-07. 
  7. ^ B.G. Yacobi, Semiconductor Materials: An Introduction to Basic Principles, Springer 2003 ISBN 0-306-47361-5, pp. 1–3
  8. ^ تعرَّف على عالم أشباه الموصلات العجيب، الباحثون المصريون
  9. ^ Kirj.ee
  10. ^ Google Books
  11. ^ أ ب Lidia Łukasiak & Andrzej Jakubowski (January 2010). "History of Semiconductors" (PDF). Journal of Telecommunication and Information Technology: 3. 
  12. ^ Busch, G (1989). "Early history of the physics and chemistry of semiconductors-from doubts to fact in a hundred years". European Journal of Physics. 10 (4): 254–264. Bibcode:1989EJPh...10..254B. doi:10.1088/0143-0807/10/4/002. 
  13. ^ Google Books
  14. ^ أ ب ت ث ج ح خ Peter Robin Morris (1990) A History of the World Semiconductor Industry, IET, ISBN 0-86341-227-0, pp. 11–25

قراءات إضافية

  • A. A. Balandin & K. L. Wang (2006). Handbook of Semiconductor Nanostructures and Nanodevices (5-Volume Set). American Scientific Publishers. ISBN 1-58883-073-X. 
  • Sze, Simon M. (1981). Physics of Semiconductor Devices (2nd ed.). John Wiley and Sons (WIE). ISBN 0-471-05661-8. 
  • Turley, Jim (2002). The Essential Guide to Semiconductors. Prentice Hall PTR. ISBN 0-13-046404-X. 
  • Yu, Peter Y.; Cardona, Manuel (2004). Fundamentals of Semiconductors : Physics and Materials Properties. Springer. ISBN 3-540-41323-5. 
  • Sadao Adachi (2012). The Handbook on Optical Constants of Semiconductors: In Tables and Figures. World Scientific Publishing. ISBN 978-981-4405-97-3. 
  • G. B. Abdullayev, T. D. Dzhafarov, S. Torstveit (Translator), Atomic Diffusion in Semiconductor Structures, Gordon & Breach Science Pub., 1987 ISBN 978-2-88124-152-9

وصلات خارجية