فوسفيد الألمنيوم گاليوم إنديوم

(تم التحويل من Aluminium gallium indium phosphide)

فوسفيد الألمنيوم گاليوم إنديوم Aluminium gallium indium phosphide عبارة عن مادة شبه موصلة صيغتها AlGaInP ، يستخدم في صناعة صمام ثنائي باعث للضوء للسطوع العالي من ألوان الأحمر والبرتقالي والأخضر والأصفر ليشكل بنية غير متجانسة مشعة للضوء. ويستخدم كذلك في صناعة صمام ثنائي لليزر.

طبقة AlGaInP غالباً ما تـُنمـَّى بالتنضيد غير المتجانس على زرنيخيد الگاليوم أو فوسفيد الگاليوم ليشكل بنية بئر كمي.

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

انظر أيضاً


المصادر

ملاحظات:

  • Band structure parameters of quaternary phosphide semiconductor alloys investigated by magneto-optical spectroscopy, I J Griffin, D Wolverson, J J Davies, M Emam-Ismail, J Heffernan, A H Kean, S W Bland and G Duggan, Semicond. Sci. Technol. vol. 15 pp. 1030-1034 (2000) DOI:10.1088/0268-1242/15/11/303
  • High Brightness Light Emitting Diodes:G. B. Stringfellow and M. George Craford, Semiconductors and Semimetals, vol. 48, pp. 97-226.